一种新颖的抗辐射加固SR锁存器设计
Microelectronics & Computer（2017）
Abstract
为了设计出抗辐射加固的DC-DC开关电源振荡器,其中SR锁存器的抗辐射性能至关重要,提出了一种新颖的抗辐射加固SR锁存器电路.该抗辐射加固SR锁存器基于空间冗余设计的思想,已经在标准商用2P5M 0.25μm工艺下设计和验证,电路版图面积为130μm×50μm,能够抗最大的总剂量效应为100 kRad(Si),可以承受的最大线性能量传输LET为85 MeV-cm2/mg.相比于三模冗余SR锁存器,所设计的抗辐射加固SR锁存器电路的晶体管数目更少,电路节点的临界电荷更大,在电路节点同时发生多处翻转的情况下,抗单粒子翻转的成功率更高.
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