3 mm 频段InP HEMT 低噪声器件研究

通过优化设计材料纵向结构，得到了满足3 mm频段工作的InP外延材料结构，最终采用外延工艺制作了InP外延材料。设计了3 mm频段InP HEMT器件横向结构，确定合适源漏间距和单指栅宽，基于InP外延材料采用自主研发流片工艺，优化了欧姆接触工艺，最终制作成功3 mm频段InP HEMT低噪声器件。测试结果表明，在频率为75～110 GHz，Uds为1.2 V，Ugs为-0.1 V时，InP HEMT单胞器件最大增益大于9 dB，噪声系数1.2 dB。