L波段5W InGaP/GaAs HBT功率放大器
Practical Electronics（2018）
Abstract
InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器.在VCC=5V,ICC=300mA下,频率1.59-1.62GHz范围内,小信号增益大于39dB,输出功率大于38 dBm,附加效率大于55％,1dB压缩功率大于37dBm,1dB压缩功率下的效率大于50％;采用PI/4QPSK调制信号,频率间隔21.6kHz和滤波器滚降系数0.35,在调制输出功率为36dBm下,其EVM指标小于5％,第一临道抑制比小于-27dBc.该放大器可应用于通信等领域.
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