795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究
Semiconductor Optoelectronics（2019）
摘要
基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795 nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出.实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10 dB以上,最高达到16.56 dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96 dB.最终,得到偏振抑制比为16 dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础.
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