横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器
Semiconductor Optoelectronics（2019）
Abstract
时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象.针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器.该器件包含四个多光谱段(B1～B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28 μm×28μm.大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像.为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1％.器件满阱电子数为500 ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70 e-,动态范围大于等于7 143:1.
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