导光管式高隔离电压光电耦合器击穿机理研究
Semiconductor Optoelectronics（2018）
Abstract
对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿.分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算.结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强.在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV.
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