选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性

Hang YANG,Jieying XING,Weijie CHEN,Jie CHEN,Xiaobiao HAN,Changming ZHONG,Jiezhi LIANG,Dejia HUANG,Yaqian HOU,Zhisheng WU,Baijun ZHANG

Semiconductor Optoelectronics（2018）

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摘要

选择区域外延生长(SAG)技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一.在选择区域外延生长中,Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响.利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表面上的迁移特性,得到了不同反应腔压力和生长温度下Ga原子在掩模介质表面的迁移长度,且在保持其他生长条件不变的情况下,适当降低反应腔压力或提高生长温度可提高Ga原子的迁移长度.

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