CCD新型遮光层工艺技术研究

Semiconductor Optoelectronics（2016）

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摘要

针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料.研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响.通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件.

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