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通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究

Semiconductor Optoelectronics(2014)

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Abstract
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响.用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量.结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势.
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