一种新型去除硼硅玻璃的方法
Semiconductor Optoelectronics（2014）
Abstract
通过在硼扩散后增加一步800℃、5 min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性.
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