非制冷红外探测器用VOx薄膜的制备
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS（2001）
Abstract
介绍了一种采用反应溅射工艺，通过控制不同气氛的分布制备VOx薄膜的方法，并制备出电阻温度系数(TCR)优于-2%的非制冷红外探测器用VOx薄膜。其XPS、XRD分析结果表明，薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。
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