半导体材料从10nm向5nm发展

Raj Jammy, An Steegen, Chris Hobbs

Applications of IC(2014)

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摘要
随着晶体管向10nm、7nm甚至更小尺寸的发展,半导体行业面临着真正的材料选择困扰。基板、沟道、栅和接触材料都迫切需要评估。对于10nm和7nm来说,高K值金属栅将占主导地位,但真正的挑战将是沟道本身。在10nm节点,锗(Ge)很可能成为沟道材料之一。
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