基于双层模型外延HgCdTe薄膜的霍尔测试

Manze PENG,Shuren CONG, Qinyi GUO,Shunying YAN,Jianyun YU, Peiyuan LI,Chunzhang YANG,Yanhui LI, Yan WANG,Liping TIAN,Jincheng KONG,Dongsheng LI,Yulin YANG

Infrared Technology（2018）

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Abstract

采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差.实验表明,MBE外延双层HgCdTe薄膜中的中波薄膜层电导率及霍尔系数的扩展不确定度范围分别为0.33～0.41Ω·cm和61～113 cm3/C,置信概率为95％,与对比样品的中波膜层霍尔参数相比,载流子浓度及霍尔迁移率的相对误差分别小于20％和10％.

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