基于湿法与氧自由基活化工艺的低温硅-硅键合技术
Micronanoelectronic Technology（2018）
摘要
针对传统的低温硅-硅键合技术中,由于等离子体轰击硅片表面而导致硅面损伤、键合面积小、键合强度低等技术难题,通过研究3种不同的活化方式对粗糙度、键合面积、键合强度的影响,从而得出湿法与氧自由基相结合的活化方式是实现低温硅-硅键合技术的最佳方式.结果表明,在双同心的环形网状电极间充入一定量的氧气,在直流电压下产生的高能氧自由基在电场作用下通过接地筛网,并以低入射角度到达硅片表面,这种活化处理的方式可以有效保护硅面免受高能粒子的损伤.键合强度可达10 MPa以上,键合面积可达98％,漏率可达1.6×10-10 Pa·cm/s.这种低温硅-硅键合技术可应用于压力传感器、电容加速度传感器和陀螺仪等器件.
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