不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响
Micronanoelectronic Technology（2018）
Abstract
分别选用FA/O螯合剂和甘氨酸作为络合剂配置铜布线CMP抛光液,研究对比了两种抛光液的抛光速率、静态腐蚀溶解速率、平坦化以及稳定性.速率实验表明,抛光液中加入FA/O螯合剂和甘氨酸都可以显著提高铜的抛光速率,基于甘氨酸配置的抛光液静态腐蚀溶解速率为335.1 nm,明显高于基于FA/O螯合剂配置的抛光液(89.2nm).平坦化实验表明,基于甘氨酸配置的抛光液对铜线条高低差的修正能力差,需要加入缓蚀剂,而基于FA/O螯合剂配置的无缓蚀剂碱性抛光液能够有效修正铜线条高低差.稳定性实验表明,基于FA/O螯合剂配置的无缓蚀剂碱性铜抛光液稳定时间只有1天,而基于甘氨酸配置的碱性铜抛光液稳定时间为5天.通过实验研究发现,抛光液中FA/O螯合剂与H2O2发生化学反应也是导致抛光液不稳定的原因.
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