4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术
Micronanoelectronic Technology（2017）
Abstract
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究.样品中Al离子的注入浓度为3×1019 cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火.退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试.测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率.在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×1017 cm-3.在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×1018 cm-3.同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著.
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Key words
4H-SiC,Al ion implantation,secondary high temperature annealing,Hall test,secondary ion mass spectrometry (SIMS),hole concentration,activation rate
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