金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用
Optics & Optoelectronic Technology（2018）
Abstract
研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜.通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14 mil×28 mil正装395 nm UV LED芯片.利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比.实验结果表明:掺3 nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600℃退火后方块电阻最大降低6.2 Ω/□,透过率在395 nm处最大达91.2％.在120 mA注入电流下,395 nmLED电压降低0.5V,功率提升19.7％.ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能.
MoreAI Read Science
Must-Reading Tree
Example
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined