射频功率对氢气与反式二丁烯的低压电感耦合等离子体的影响

利用等离子体聚合技术制备的 GDP 壳层是目前 ICF 靶丸的主要烧蚀层材料。为了了解 GDP 薄膜沉积过程中的CH 等离子体的状态,采用朗缪尔探针和质谱仪对 C4 H 8/H 2等离子体的组分和状态参数进行了诊断,并对等离子体的电子能量分布函数、电子密度、电子温度等进行了深入分析。同时讨论了等离子体状态与放电参数之间的关系。研究发现,射频功率对等离子体参数有明显的影响。从10 W 到35 W,电子密度正比于射频功率。随着射频功率的增加,在两步电离机制作用下,电子温度和等离子体电势呈现先减小后增大的变化趋势。另外,在高气压下,质谱诊断中发现了大量的稳定的小质量碎片离子,这表明在高气压下等离子体气相中的离子碎片聚合反应被抑制。