利用射频磁控溅射法制备多层MoS2薄膜
Semiconductor Technology（2020）
Abstract
利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜.优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明这种原生的薄膜是非晶态的.对原生的MoS2薄膜在高纯氮气氛围下进行不同温度条件的退火,X射线衍射和拉曼散射测量结果表明,退火温度达到550℃时,MoS2薄膜开始结晶化;温度为650℃时,出现MoS2晶粒;当退火温度达到800～950℃时,薄膜转变成连续的多层MoS2薄膜,多层膜的X射线衍射峰半高宽为0.384°.这一结果表明,射频磁控溅射法结合热退火是一种制备多层MoS2薄膜的简单易行的方法.
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