化学法测定InxGa1-x N外延层中的In含量
Semiconductor Technology（2020）
Abstract
采用熔融氢氧化钠对生长在蓝宝石衬底上的InxGa1-xN外延层进行化学腐蚀,通过深紫外光致发光光谱仪测量InxGa1-xN的激发光谱来控制其腐蚀过程,用硫酸和氨水对腐蚀InxGa1-xN后得到的的腐蚀溶液进行酸度调节,加入碘化钾、乙基紫与铟离子形成蓝色的离子缔合物,用苯将离子缔合物萃取至有机相,采用分光光度计测量腐蚀溶液在619 nm波长处的吸光度来计算外延层中的In含量.使用该方法测试6次,测试结果的标准偏差为0.25％,测量结果与卢瑟福背散射法的测量结果基本一致,说明该方法具有较高的精密度和准确度.该方法可用于InxGa1-xN外延层中的In含量的准确测量.
MoreAI Read Science
Must-Reading Tree
Example
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined