电化学定域性刻蚀多孔InP光波导
Semiconductor Technology（2020）
摘要
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导.使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响.电化学刻蚀过程中,分别利用掩模图形诱导刻蚀方向,改变电流密度调整孔隙大小和深度,改变刻蚀时间控制形成的多孔结构的深度.采用电化学定域性刻蚀与电子束光刻技术相结合,在InP衬底上制备具有光学传输特性的光波导结构.反射率测试结果表明,采用波长900 nm的入射光,多孔结构具有导波模式.使用500 μm长的InP多孔结构所制备波导的损耗约为9.92 dB/cm.多孔结构InP光波导在光子集成领域具有较好的应用价值和前景.
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