双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
Semiconductor Technology（2019）
摘要
采用二维有限元法(FEM) 模拟了激射波长为1 550 nm 的InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道脊波导(DCRW) 激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响.模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响.当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高; 当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高.采用AlN 钝化层、Au 层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6 ℃.该结果为设计制备In-GaAsP /InGaAsP 激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP 基光子集成回路改善热性能提供参考.
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