L波段高效率内匹配GaN HEMT
Semiconductor Technology（2014）
Abstract
研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件.利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证.在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到12Ω,利用改进型威尔金森功率分配器和功率合成器将阻抗由12 Ω提升到50 Ω,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片加工.研制的内匹配GaN HEMT器件在测试频率为1.20～ 1.32 GHz时,输出功率大于80 W,功率增益大于16.2 dB,最大功率附加效率达到72.1％.
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