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L波段GaN HEMT器件的研制

闫锐,银军,崔玉兴,张力江,付兴昌,高学邦,吴洪江,蔡树军,杨克武

Semiconductor Technology（2014）

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Abstract
基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件.该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN/GaN异质结外延材料,通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0.4Ω·mm以内,采用场板技术提高了器件击穿电压,采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔,提高了器件的散热能力及增益.结果表明,采用该技术研制的两胞内匹配GaN HEMT器件在工作频率1.5～1.6 GHz下,实现了输出功率大于66 W、功率增益大于15.2 dB、功率附加效率大于62.2％.
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