多路并行存储系统中的坏块管理策略研究

非易失性存储器闪存(Nand Flash)因其非易失性、可擦除性等特点在高速数据存储系统中的需求越来越大,然而随着存储系统规模的增大,更加有效的坏块管理机制显得尤为重要.文章分析了坏块形成原因,同时针对基于Nand Flash的并行多路存储系统,提出了一种高效的坏块管理机制.此方法通过对每一列芯片的块统一编码存储,显著节约了坏块表存储空间,并且可以有效提高查询效率.实验证明,在减小存储成本的同时,Flash存储数据的安全性得以保证,从而有效改善了系统性能.