基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料
Research & Progress of Solid State Electronics（2020）
摘要
南京电子器件研究所提出了一种“AlN表面原位图形化”技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度.另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本.
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