一款0.6～4.2GHz宽带低噪声放大器设计
Research & Progress of Solid State Electronics（2019）
摘要
采用0.25 μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片.芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于关断低噪声放大器.测试结果表明,在工作频带内,低噪声放大器增益大于23 dB,增益平坦度在2 dB左右,输入输出回波损耗小于-10 dB,噪声系数低于1 dB,输出1 dB压缩点大于17 dBm,开关时间均在30 ns左右.芯片具有宽带、噪声系数低、集成度高和低功耗等特点,在基站接收系统中具有一定的应用价值.
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