6.5kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件

Shiyan LI,Hao LIU,Runhua HUANG,Yunfeng CHEN,Yun LI,Song BAI,Lijie YANG

Research & Progress of Solid State Electronics（2019）

引用 0|浏览12

暂无评分

摘要

与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景.南京电子器件研究所研制出一款6.5 kV 25ASiC功率DMOSFET器件.建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,通过采用低界面态密度栅极氧化层制备以及JFET区选择掺杂等先进工艺技术,在60 μm厚外延层上制各了6.5 kV SiC DMOSFET,芯片有源区尺寸37 mm2.该器件击穿电压大于6.9 kV,导通电流大于25 A,峰值有效沟道迁移率为23 cm2/(V·s),比导通电阻降低到44.3 mΩ·cm2,缩小了与国际先进水平的差距.

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要