Ka波段GaN单片低噪声放大器研制

Shaobing WU,Jianping LI,Zhonghui LI,Jianfeng GAO,Nianning HUANG

Research & Progress of Solid State Electronics（2018）

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摘要

报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果.在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100 nm的“T”型栅结构.器件直流测试最大电流密度为1.55 A/mm,最大跨导为490 mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95 GHz及230 GHz.采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33～47 GHz小信号增益大于20 dB,噪声系数均值在2 dB左右,单频点噪声系数可达1.6 dB,噪声水平达到GaN器件在该频段的高水平.此外,该单片电路的功耗在560mW左右,带内连续波测试输出P-1＞15 dBm.

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