具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
Research & Progress of Solid State Electronics（2018）
Abstract
采用纯度高于99％的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管.采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能.实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90 nm左右,电流增益截止频率fT达到13.5 GHz,最大振荡频率fmax达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力.
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