两种微方阵列基底上碳纳米管薄膜强流脉冲发射比较
Research & Progress of Solid State Electronics（2017）
摘要
采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在具有微方结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,基底微方阵列的单元尺度分别为10μm×10tm×20μm(微方底边长为l0μm,高为20 μm)和40μm×40 μm×20μm(微方底边长为40μm,高为20 μm),微结构的阵列间距分别为30μm和80μm;在20 GW脉冲功率源系统中采用二极管结构对两种CNTs薄膜进行强流脉冲发射特性测试.结果显示:随着脉冲电场峰值的增大,两种冷阴极的强流脉冲发射电流值逐渐增大,在相同峰值的脉冲电场下,微方结构单元尺度为10 μm×10μm×20 μm的基底上CNTs薄膜冷阴极的发射能力较大.结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微方阵列结构上表面的电场分布,研究了基底上两种微方阵列结构对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响.
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