300 GHz InP DHBT单片集成放大器
Research & Progress of Solid State Electronics（2017）
Abstract
太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si/SiGe而言）,适合于太赫兹功率放大器的研制,例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制了220 GHz200 mW的功率MMIC。南京电子器件研究所基于76.2 mm（3英寸）InP DHBT圆片工艺,研制出300 GHz单片集成放大器。图
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