微立方结构阵列间距对场发射影响
Research & Progress of Solid State Electronics（2015）
Abstract
在3D基底上制备CNT薄膜可以提高碳纳米管的场发射能力,基底微结构的形貌、尺寸、间距等参数都对碳纳米管的场发射有直接的影响.利用有限元分析软件ANSYS模拟了微立方阵列结构,微立方结构的尺寸为20μm×20 μm×20 μm(长×宽×高),得到了微立方结构上表面的电场分布,计算了阵列间距和上表面面积不同时的电场分布.依据F-N方程,采用离散化的方法,定量地分析了阵列间距对冷阴极场发射电流的影响,发现该微结构在阵列间距为100μm时场发射电流达到最大值.
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