基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计

Research & Progress of Solid State Electronics（2016）

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摘要

设计并实现了一款基于双位单元虚拟地架构的8M嵌入式闪存存储器芯片,工作电压是单电源电压1.5V.由于虚拟地架构存储阵列存在侧边漏电流,为了减少灵敏放大器裕度损失,采用了读取电流保护技术.同时,采用了动态读取窗口跟踪参考电压产生电路来最大化灵敏放大器的裕度.采用华虹宏力标准90 nm、4层多晶硅4层金属CMOS工艺.芯片尺寸是1.8 mm2,读取速度可以达到40 ns.

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