基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计

Hongchang SHEN,Ya SHEN,Xiaofeng PAN,Bo XU,Siqi LI,Junda QU,Qunfei HAN

Research & Progress of Solid State Electronics（2016）

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摘要

在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法.通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积.最终,本文采用0.25 μm GaAsPHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器.实测结果表明:在21～23 GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20 dB,插入损耗小于11.2 dB.

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