1200 V 40 A碳化硅肖特基二极管设计
Research & Progress of Solid State Electronics（2016）
摘要
设计并实现了一种阻断电压为1 200 V、正向电流40 A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD).采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化.器件采用10 μm厚度掺杂浓度为6E15 cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环.正向电压1.75V时,导通电流达到40 A.
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