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基于InP DHBT工艺的140GHz单片功率放大器

程伟,孙岩,王元,陆海燕,常龙,李骁,张勇,徐锐敏

Research & Progress of Solid State Electronics（2016）

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Abstract
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势.南京电子器件研究所基于76.2 mm InPDHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使用多层布线工艺以实现低损耗的薄膜介质微带线.电路拓扑方面,采用4级放大结构,末级采用4个发射极宽度0.5 μm的单指InP DHBT器件进行功率合成,芯片面积约为2.0 mm×1.9 mm.图1展示了该电路小信号S参数仿真与实测结果的对比.
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