基于InP DHBT工艺的140～220 GHz单片集成放大器
Research & Progress of Solid State Electronics（2015）
摘要
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势.国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块.
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