一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器
Microelectronics（2019）
摘要
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能.基于标准0.35 μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计.辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV· cm2/mg,满足宇航电子系统的应用要求.
更多AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要