一种抗单粒子多节点翻转的存储单元

Chunyan HU,Suge YUE,Shijin LU,Lin LIU,Xiaochen ZHANG

Microelectronics（2018）

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Abstract

为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T).在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存“0”节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁(DICE)存储单元的一半.基于敏感节点对分离和SET缩减原理,进行了加固存储单元版图设计.在相同设计方法下,该存储单元的敏感节点间距是DICE存储单元的3倍.抗SEU仿真结果表明,该存储单元具备单节点翻转全加固能力.全物理模型单粒子瞬态仿真结果表明,该存储单元的线性能量转移(LET)翻转阈值为DICE存储单元的2.8倍,能有效缓解单粒子多节点翻转的问题.

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