P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究
Microelectronics（2017）
摘要
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件.该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条件下生长栅氧化层.通过仿真分析和试验进行了验证,该器件在最劣漏偏置条件下抗总剂量达到3 kGy,抗单粒子烧毁和单粒子栅穿的LET值为99.1 MeV·cm2/mg.该器件适用于星用抗辐射DC-DC电源系统.
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