一种工艺和温度自校正的环形振荡器

提出了一种具有工艺和温度自校正功能的环形振荡器.相较于传统的环形振荡器,该环形振荡器增加了温度校正模块和工艺校正模块.当工艺角变化为ss→tt→ff,工艺校正模块会相应地调整延迟单元的供电电压,校正由工艺角引起的振荡频率变化.当温度在-40℃～125℃范围内变化时,温度校正模块为延迟单元提供一个与温度无关的电流,以稳定振荡频率.该环形振荡器采用GF 0.18μm CMOS工艺进行设计,版图面积为(745×595)μm2.后仿真结果表明,当工艺角变化为ss→tt→ff,振荡频率的最大变化范围为1.27 MHz;当温度变化为-40℃～125℃,振荡频率的最大变化范围为0.199 MHz.