基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究
Microelectronics（2014）
摘要
分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施.使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究.对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考.
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