纳米级MOSFET多晶区量子修正解析模型
MICROELECTRONICS（2005）
摘要
利用ISE 8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟.结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反.从密度梯度模型,简化得到多晶区量子效应修正,并建立了多晶区内量子效应的集约模型.该模型与数值模拟结果吻合.
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关键词
quantum effects,poly-gates,nano-scaled
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