T/R组件功放芯片瞬态温度响应研究
Electronics and Packaging（2016）
Abstract
T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一.在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化.针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证.将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求.
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