反应时间和温度对二氧化钒薄膜生长影响研究
Electronics Quality（2020）
摘要
该文采用一种新型的气-固(VS)生长法合成了高质量、大面积的二氧化钒(Vanadium Oxide,VO2)薄膜.在该合成反应过程中,VO2薄膜生长的质量受诸多因素的影响.比如,生长温度、时间和气压,惰性载入气体流速,前躯体的数量,以及衬底的种类和位置等.文中系统地研究了生长时间和温度对VO2薄膜生长质量的影响,并对其进行了优化调控.利用扫描电子显微镜对该VO2薄膜进行的形貌分析表明,该VO2薄膜是由尺寸不一的晶粒连接而成的多晶界薄膜,表面具有较高的平整度.单晶尺寸最大可达120μm,平均尺寸40μm.
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