气相法白炭黑表面羟基的漫反射红外研究

Silicone Material（2016）

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摘要

采用漫反射红外光谱法(DRIFT)研究了气相法白炭黑表面羟基的分布情况,并考察了热处理对其结构的影响.结果表明:气相法白炭黑表面羟基主要以孤立和邻住羟基为主,在漫反射红外光谱中的位置分别为3 743 cm-处和3 684 cm-1处,随着温度的升高谱峰强度增加,邻位羟基经800℃热处理后谱峰消失.

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