4H-SiC探测器的γ辐照影响研究

为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照后对4 H-SiC的性能进行了测试.随着累积辐照剂量增加,4 H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4 H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93 V减小至1.69 V;4H-SiC探测器对241 Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65％退化到93.55％,测得能谱的能量分辨率由1.81％退化到2.32％.4H-SiC探测器在受到1 MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486 MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18％和2.2％,仍具备优良的探测性能.