TaN薄膜电阻的功率加载特性研究
Electronic Components & Materials（2015）
摘要
通过射频反应溅射，在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化，研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件，在环境温度为70℃，TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm，氧化铝基板厚度为0.125 mm的条件下，TaN薄膜电阻可以耐受4 W/mm2的功率密度，或者9.4 W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。
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