基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10GS/s、3bit模数转换器
Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications(Natural Science)（2019）
Abstract
基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit.该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽.设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度.电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB.该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位.在-5V和-3.3V供电电压下,电路的总功耗为1.6W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm.
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